[앵커]
삼성전자의 반도체 핵심 기술을 유출한 삼성전자 전직 임직원 2명이 구속 상태로 검찰에 넘겨졌습니다.
이들이 빼돌린 삼성전자 기술은 개발에만 4조 원 넘게 들어갔는데요.
경찰은 추가 유출 여부도 수사하고 있습니다.
차승은 기자가 보도합니다.
[기자]
중국 쓰촨성 청두시에 있는 반도체 제조 공장입니다.
삼성전자, SK하이닉스 등 국내 유수의 반도체 회사 임원을 역임한 60대 A씨가 퇴사 후 쓰촨성과 합작해 설립했습니다.
지난 2021년 12월에 준공된 이 공장은 불과 약 넉 달 만에 '시범 웨이퍼'를 생산해 냈습니다.
시범 웨이퍼는 적용 기술의 반도체 기능을 측정하는 기초 개발제품으로, D램 개발 경험이 있는 반도체 제조회사들도 생산까지 최소 4~5년이 걸립니다.
경찰 수사 결과, A씨가 삼성전자의 핵심기술을 유출해 무단으로 사용한 것으로 드러났습니다.
과정은 치밀했습니다.
회사 설립 추진 단계부터 국내 인력들에게 지속적으로 접촉한 A씨.
삼성전자에서 D램 메모리 수석 연구원을 지낸 60대 B씨는 삼성전자 재직 중 반도체 핵심기술을 A씨에게 유출한 뒤 A씨 회사로 이직했습니다.
앞서 산업기술보호법 위반, 업무상 배임 등의 혐의로 A씨와 B씨를 구속 수사하던 경찰은 이들을 검찰에 송치했습니다.
경찰이 단순 추산한 피해 액수는 4조 3천억원 이상으로, 해외 기술 유출 피해로는 역대 최대 규모입니다.
<조광현 / 서울경찰청 안보수사지원과장> "18나노급 공정 개발 비용은 약 4조 3천억 원에 이르며, 경제효과 등을 감안할 때 실제 피해 금액은 가늠하기 어려운 수준입니다."
경찰은 A씨 회사로 이직한 다른 임직원 30여 명도 추가로 입건해 관련 혐의에 대해 수사를 진행 중입니다.
연합뉴스TV 차승은입니다. (chaletuno@yna.co.kr)
[영상취재기자 : 김봉근]
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